https://camokathomelab.servebeer.com/mediawiki/index.php?action=history&feed=atom&title=PROMPROM - История изменений2026-07-16T10:29:24ZИстория изменений этой страницы в викиMediaWiki 1.45.3https://camokathomelab.servebeer.com/mediawiki/index.php?title=PROM&diff=44693&oldid=previmported>Modun в 02:07, 22 марта 20262026-03-22T02:07:10Z<p></p>
<p><b>Новая страница</b></p><div>[[Файл:Микросхема КР556РТ11.jpg|thumb|247px|Микросхема ППЗУ КР556РТ11]]<br />
{{Типы компьютерной памяти}}<br />
'''PROM''' ({{lang-en|'''P'''rogrammable '''R'''ead-'''O'''nly '''M'''emory}}, программируемое ПЗУ, ППЗУ) — класс полупроводниковых запоминающих устройств, [[Постоянное запоминающее устройство|постоянная память]] с пережигаемыми перемычками.<br />
<br />
Память представляет собой [[Матрица (электроника)|двумерный массив проводников]] (строк и столбцов), на пересечении которых находятся последовательно соединённые диод (или p-n-переход транзистора) и специальная перемычка из металла (например, нихрома или [[Титан (элемент)|титаново]]-[[вольфрам]]ового [[сплав]]а) или аморфного кремния. Программирование заключается в пропускании через соответствующую перемычку тока, который её расплавляет или испаряет. Восстановление расплавленных перемычек невозможно.<br />
<br />
Несмотря на кажущуюся надежность такого решения, эта технология оказалась весьма капризной. Металлические перемычки при программировании образовывали капли и пары металла, которые оседали обратно на кристалл в самых неожиданных местах с соответствующими неприятными последствиями. Поликремниевые перемычки имеют способность к самовосстановлению за счет миграции атомов. По этой причине микросхемы после программирования требовалось выдерживать длительное время при высокой температуре с целью выявления потенциальных дефектов этого типа.<br />
<br />
В конечном итоге память на пережигаемых перемычках была вытеснена в большинстве применений решениями на [[Транзистор с плавающим затвором|транзисторах с плавающим затвором]] ([[EPROM]], [[EEPROM]] и [[флеш-память]]ю).<br />
<br />
== Преимущества ==<br />
* Записанные данные невозможно уничтожить электрическим способом, разрушение происходит лишь при физическом воздействии на носитель.<br />
* Высокая скорость доступа к данным — 35 нс и менее.<br />
* Повышенная радиационная стойкость, в отличие от флеш-памяти, EPROM и EEPROM, поэтому, наряду с [[Масочное ПЗУ|масочным ПЗУ]], применяется в цифровой электронике, подвергающейся сильному воздействию ионизирующего излучения, например, в [[Бортовая цифровая вычислительная машина|БЦВМ]] для [[Космический аппарат|космических аппаратов]] и [[Баллистическая ракета|баллистических ракет]]. <br />
<br />
== Недостатки ==<br />
* Малый объём хранимых данных.<br />
* В PROM возможно изменение данных путём «довыжигания» тех перемычек, которые ещё не были уничтожены. Для борьбы с такими изменениями могут применяться [[Бит чётности|биты четности]] и другие контрольные суммы.<br />
<br />
== Литература ==<br />
* Угрюмов Е. П. Цифровая схемотехника. — БХВ-Петербург, 2005. — Глава 5.<br />
* [https://books.google.com/books?id=lJUX8TOsGAkC&pg=PA34&dq=%2BPROM+fuse Progress of the PROM — the micro’s mate] // New Scientist. — 1979. — 5 July. — P. 34—36.<br />
<br />
[[Категория:Компьютерная память]]<br />
[[Категория:Энергонезависимая память]]</div>imported>Modun