https://camokathomelab.servebeer.com/mediawiki/index.php?action=history&feed=atom&title=EEPROMEEPROM - История изменений2026-07-16T07:34:26ZИстория изменений этой страницы в викиMediaWiki 1.45.3https://camokathomelab.servebeer.com/mediawiki/index.php?title=EEPROM&diff=44694&oldid=previmported>Modun в 01:44, 22 марта 20262026-03-22T01:44:37Z<p></p>
<p><b>Новая страница</b></p><div>{{Типы компьютерной памяти}}<br />
'''EEPROM''' ({{lang-en|Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory}}) — электрически стираемое перепрограммируемое [[Постоянное запоминающее устройство|ПЗУ]] (ЭСППЗУ), один из видов [[Энергонезависимая память|энергонезависимой памяти]] (таких, как [[PROM]] и [[EPROM]]).<br />
<br />
На сегодняшний день классическая двухтранзисторная технология EEPROM практически полностью вытеснена [[флеш-память]]ю типа NOR (на элементах [[Стрелка Пирса|ИЛИ-НЕ]]). Однако название ''EEPROM'' прочно закрепилось за сегментом памяти малой ёмкости независимо от технологии.<br />
<br />
== Принцип действия ==<br />
<br />
Принцип работы EEPROM основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области (кармане) полупроводниковой структуры.<ref>{{Cite web |url=http://smithsonianchips.si.edu/ice/cd/MEMORY97/SEC09.PDF |title=Технология EEPROM |access-date=2011-07-22 |archive-date=2012-03-20 |archive-url=https://web.archive.org/web/20120320225801/http://smithsonianchips.si.edu/ice/cd/MEMORY97/SEC09.PDF |url-status=live }}</ref><br />
<br />
Изменение заряда («запись» и «стирание») производится приложением между затвором и истоком большого потенциала, чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения [[туннельный эффект|туннельного эффекта]]. Для усиления эффекта туннелирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путём пропускания тока через канал полевого транзистора (явление [[Инжекция горячих носителей|инжекции горячих носителей]]).<br />
<br />
Чтение выполняется [[транзистор с плавающим затвором|полевым транзистором]], для которого карман выполняет функцию затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения.<br />
<br />
Основная особенность классической ячейки EEPROM — наличие второго транзистора, который помогает управлять режимами записи и стирания. Некоторые реализации выполнялись в виде одного трёхзатворного полевого транзистора (один затвор плавающий и два обычных).<br />
<br />
Эта конструкция снабжается элементами, которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек. Соединение выполняется в виде двумерной матрицы, в которой на пересечении столбцов и строк находится одна ячейка. Поскольку ячейка EEPROM имеет третий затвор, то, помимо подложки, к каждой ячейке подходят 3 проводника (один проводник столбцов и 2 проводника строк).<br />
<br />
== Список производителей EEPROM ==<br />
<br />
* [[Mikron Sitronics]]<br />
* [[Aplus Flash Technology]]<br />
* [[Mitsubishi Electric]]<br />
* [[Atmel]]<br />
* [[Hitachi, Ltd.|Hitachi]]<br />
* [[Infineon]]<br />
* [[Maxwell Technologies]]<br />
* [[Microchip Technology]]<br />
* [[NXP Semiconductors]]<br />
* [[Renesas Technology]]<br />
* [[ROHM Electronics]]<br />
* [[Samsung Electronics]]<br />
* [[SmarfTech]]<br />
* [[STMicroelectronics]]<br />
* [[Seiko Instruments]]<br />
* [[Winbond]]<br />
* [[Интеграл (компания)|Интеграл]]<br />
* [[Catalyst Semiconductor Inc]]<br />
*[[Микрон (компания)|Микрон]]<br />
<br />
== Примечания ==<br />
{{примечания}}<br />
<br />
== Литература ==<br />
* {{публикация|книга |автор=Угрюмов Е. П. |заглавие=Цифровая схемотехника |вид=учеб. пособие для вузов |издание=3-е изд., перераб. и доп |место=СПб. |издательство=БХВ-Петербург |год=2010 |страницы=301—305 |isbn=978-5-9775-0162-0}}<br />
<br />
{{Нет иллюстрации}}<br />
{{перевести|en|EEPROM}}<br />
{{ВС}}<br />
<br />
[[Категория:Компьютерная память]]<br />
[[Категория:Энергонезависимая память]]<br />
[[Категория:Изобретения Японии]]</div>imported>Modun