https://camokathomelab.servebeer.com/mediawiki/index.php?action=history&feed=atom&title=%D0%93%D0%B5%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%BE%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4Гетеропереход - История изменений2026-07-17T07:17:04ZИстория изменений этой страницы в викиMediaWiki 1.45.3https://camokathomelab.servebeer.com/mediawiki/index.php?title=%D0%93%D0%B5%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%BE%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4&diff=52473&oldid=previmported>Sldst-bot: Замена параметров ш:rq на вложенные шаблоны с датами установки: refless → ш:нет сносок (2009-12-29), sources → ш:нет источников (2009-12-29)2025-05-16T09:55:24Z<p>Замена параметров <a href="/mediawiki/index.php?title=%D0%A8:rq&action=edit&redlink=1" class="new" title="Ш:rq (страница не существует)">ш:rq</a> на вложенные шаблоны с датами установки: refless → <a href="/mediawiki/index.php?title=%D0%A8:%D0%BD%D0%B5%D1%82_%D1%81%D0%BD%D0%BE%D1%81%D0%BE%D0%BA&action=edit&redlink=1" class="new" title="Ш:нет сносок (страница не существует)">ш:нет сносок</a> (<a href="/mediawiki/index.php/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%98%D0%B7%D0%BC%D0%B5%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F/20960928" title="Служебная:Изменения/20960928">2009-12-29</a>), sources → <a href="/mediawiki/index.php?title=%D0%A8:%D0%BD%D0%B5%D1%82_%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%87%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%B2&action=edit&redlink=1" class="new" title="Ш:нет источников (страница не существует)">ш:нет источников</a> (<a href="/mediawiki/index.php/%D0%A1%D0%BB%D1%83%D0%B6%D0%B5%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D1%8F:%D0%98%D0%B7%D0%BC%D0%B5%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F/20960928" title="Служебная:Изменения/20960928">2009-12-29</a>)</p>
<p><b>Новая страница</b></p><div>[[Файл:Heterojunction.gif|thumb|Зонная диаграмма гетероперехода GaAs/AlGaAs]]<br />
[[Файл:Hs1.gif|thumb|]]<br />
'''Гетеропереход''' — контакт двух различных [[полупроводники|полупроводников]].<br />
<br />
Особенностью [[Зонная диаграмма|зонной диаграммы]] гетероперехода является скачок [[Дно зоны проводимости|края зоны проводимости]] на стыке (равный разности [[Сродство к электрону#В физике твёрдого тела|сродства к электрону]] в материалах) и скачок [[Потолок валентной зоны|края валентной зоны]], см. пример на рисунке. Существуют [[Зонная диаграмма#Общие правила построения|правила построения]] таких диаграмм. <br />
<br />
Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах ([[гетероструктура]]х). Например, [[лазер]] на двойной гетероструктуре делают на основе пары полупроводников — [[GaAs]] и его [[твердый раствор|твердого раствора]] с [[AlAs]] -- Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As. В тонкий слой GaAs, который имеет более узкую [[запрещённая зона|запрещённую зону]] по сравнению с расположенными по его краям слоями Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As, инжектируются [[электрон]]ы и [[дырка|дырки]], которые [[Рекомбинация (физика полупроводников)|рекомбинируют]] там с испусканием фотонов.<br />
<br />
[[Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT)|Модулированно-легированные гетероструктуры]] используют для получения [[двумерный электронный газ|двумерного электронного газа]] (на рисунке: ДЭГ) с высокой подвижностью, который необходим для исследований [[Дробный квантовый эффект Холла|дробного квантового эффекта Холла]], а также для создания полевых и биполярных транзисторов для сверхбыстрой электроники. Комбинируя материалы, можно также получить [[сверхрешётка|сверхрешётки]] с множественными [[Квантовая яма|квантовыми ямами]], разделёнными барьерами. <br />
<br />
Если полупроводники имеют разные [[постоянная решётки|постоянные решётки]], возможно создание структур с самоформирующимися [[квантовая точка|квантовыми точками]] на границе.<br />
<br />
== См. также ==<br />
* [[Гетероструктура]]<br />
<br />
{{phys-stub}}<br />
{{rq|<br />
{{нет сносок|дата=2009-12-29}}<br />
{{нет источников|дата=2009-12-29}}<br />
}}<br />
<br />
[[Категория:Физика полупроводников]]<br />
[[Категория:Полупроводниковые приборы]]</div>imported>Sldst-bot