Просмотр кода страницы PROM

[[Файл:Микросхема КР556РТ11.jpg|thumb|247px|Микросхема ППЗУ КР556РТ11]]
{{Типы компьютерной памяти}}
'''PROM''' ({{lang-en|'''P'''rogrammable '''R'''ead-'''O'''nly '''M'''emory}}, программируемое ПЗУ, ППЗУ) — класс полупроводниковых запоминающих устройств, [[Постоянное запоминающее устройство|постоянная память]] с пережигаемыми перемычками.

Память представляет собой [[Матрица (электроника)|двумерный массив проводников]] (строк и столбцов), на пересечении которых находятся последовательно соединённые диод (или p-n-переход транзистора) и специальная перемычка из металла (например, нихрома или [[Титан (элемент)|титаново]]-[[вольфрам]]ового [[сплав]]а) или аморфного кремния. Программирование заключается в пропускании через соответствующую перемычку тока, который её расплавляет или испаряет. Восстановление расплавленных перемычек невозможно.

Несмотря на кажущуюся надежность такого решения, эта технология оказалась весьма капризной. Металлические перемычки при программировании образовывали капли и пары металла, которые оседали обратно на кристалл в самых неожиданных местах с соответствующими неприятными последствиями. Поликремниевые перемычки имеют способность к самовосстановлению за счет миграции атомов. По этой причине микросхемы после программирования требовалось выдерживать длительное время при высокой температуре с целью выявления потенциальных дефектов этого типа.

В конечном итоге память на пережигаемых перемычках была вытеснена в большинстве применений решениями на [[Транзистор с плавающим затвором|транзисторах с плавающим затвором]] ([[EPROM]], [[EEPROM]] и [[флеш-память]]ю).

== Преимущества ==
* Записанные данные невозможно уничтожить электрическим способом, разрушение происходит лишь при физическом воздействии на носитель.
* Высокая скорость доступа к данным — 35 нс и менее.
* Повышенная радиационная стойкость, в отличие от флеш-памяти, EPROM и EEPROM, поэтому, наряду с [[Масочное ПЗУ|масочным ПЗУ]], применяется в цифровой электронике, подвергающейся сильному воздействию ионизирующего излучения, например, в [[Бортовая цифровая вычислительная машина|БЦВМ]] для [[Космический аппарат|космических аппаратов]] и [[Баллистическая ракета|баллистических ракет]]. 

== Недостатки ==
* Малый объём хранимых данных.
* В PROM возможно изменение данных путём «довыжигания» тех перемычек, которые ещё не были уничтожены. Для борьбы с такими изменениями могут применяться [[Бит чётности|биты четности]] и другие контрольные суммы.

== Литература ==
* Угрюмов Е. П. Цифровая схемотехника. — БХВ-Петербург, 2005. — Глава 5.
* [https://books.google.com/books?id=lJUX8TOsGAkC&pg=PA34&dq=%2BPROM+fuse Progress of the PROM — the micro’s mate] // New Scientist. — 1979. — 5 July. — P. 34—36.

[[Категория:Компьютерная память]]
[[Категория:Энергонезависимая память]]