Просмотр кода страницы EEPROM

{{Типы компьютерной памяти}}
'''EEPROM''' ({{lang-en|Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory}}) — электрически стираемое перепрограммируемое [[Постоянное запоминающее устройство|ПЗУ]] (ЭСППЗУ), один из видов [[Энергонезависимая память|энергонезависимой памяти]] (таких, как [[PROM]] и [[EPROM]]).

На сегодняшний день классическая двухтранзисторная технология EEPROM практически полностью вытеснена [[флеш-память]]ю типа NOR (на элементах [[Стрелка Пирса|ИЛИ-НЕ]]). Однако название ''EEPROM'' прочно закрепилось за сегментом памяти малой ёмкости независимо от технологии.

== Принцип действия ==

Принцип работы EEPROM основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области (кармане) полупроводниковой структуры.<ref>{{Cite web |url=http://smithsonianchips.si.edu/ice/cd/MEMORY97/SEC09.PDF |title=Технология EEPROM |access-date=2011-07-22 |archive-date=2012-03-20 |archive-url=https://web.archive.org/web/20120320225801/http://smithsonianchips.si.edu/ice/cd/MEMORY97/SEC09.PDF |url-status=live }}</ref>

Изменение заряда («запись» и «стирание») производится приложением между затвором и истоком большого потенциала, чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения [[туннельный эффект|туннельного эффекта]]. Для усиления эффекта туннелирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путём пропускания тока через канал полевого транзистора (явление [[Инжекция горячих носителей|инжекции горячих носителей]]).

Чтение выполняется [[транзистор с плавающим затвором|полевым транзистором]], для которого карман выполняет функцию затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения.

Основная особенность классической ячейки EEPROM — наличие второго транзистора, который помогает управлять режимами записи и стирания. Некоторые реализации выполнялись в виде одного трёхзатворного полевого транзистора (один затвор плавающий и два обычных).

Эта конструкция снабжается элементами, которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек. Соединение выполняется в виде двумерной матрицы, в которой на пересечении столбцов и строк находится одна ячейка. Поскольку ячейка EEPROM имеет третий затвор, то, помимо подложки, к каждой ячейке подходят 3 проводника (один проводник столбцов и 2 проводника строк).

== Список производителей EEPROM ==

* [[Mikron Sitronics]]
* [[Aplus Flash Technology]]
* [[Mitsubishi Electric]]
* [[Atmel]]
* [[Hitachi, Ltd.|Hitachi]]
* [[Infineon]]
* [[Maxwell Technologies]]
* [[Microchip Technology]]
* [[NXP Semiconductors]]
* [[Renesas Technology]]
* [[ROHM Electronics]]
* [[Samsung Electronics]]
* [[SmarfTech]]
* [[STMicroelectronics]]
* [[Seiko Instruments]]
* [[Winbond]]
* [[Интеграл (компания)|Интеграл]]
* [[Catalyst Semiconductor Inc]]
*[[Микрон (компания)|Микрон]]

== Примечания ==
{{примечания}}

== Литература ==
* {{публикация|книга |автор=Угрюмов Е. П. |заглавие=Цифровая схемотехника |вид=учеб. пособие для вузов |издание=3-е изд., перераб. и доп |место=СПб. |издательство=БХВ-Петербург |год=2010 |страницы=301—305 |isbn=978-5-9775-0162-0}}

{{Нет иллюстрации}}
{{перевести|en|EEPROM}}
{{ВС}}

[[Категория:Компьютерная память]]
[[Категория:Энергонезависимая память]]
[[Категория:Изобретения Японии]]